به گزارش ایسنا، شرکت تراشهسازی «اسکی هاینیکس» (SK hynix) روز جمعه اعلام کرد که با توجه به افزایش تقاضا برای تراشههای حافظه مرتبط با هوش مصنوعی، حدود ۵۴ تریلیون وون معادل ۳۸.۱ میلیارد دلار برای ساخت دو کارخانه جدید تولید تراشههای حافظه سرمایهگذاری خواهد کرد.
این شرکت سرمایهگذاری ۲۴.۸ میلیارد دلار را برای یک کارخانه تولید تراشه جدید موسوم به Y۲ در شهر یونگین و ۱۳.۴۷ میلیارد دلار را برای کارخانه دیگری با نام M۱۷ در چونگجو تصویب کرده است.
هدف از این سرمایهگذاریها، افزایش ظرفیت تولید تراشههای حافظه DRAM و ناند (NAND) در «اسکی هاینیکس» در بحبوحه رشد سریع تقاضای ناشی از زیرساختهای هوش مصنوعی است.
کارخانه Y۲ در یونگین که دومین کارخانه از چهار کارخانه برنامهریزیشده در خوشه نیمهرسانای یونگین خواهد بود، بهعنوان پایگاه تولید تراشههای HBM و دیگر محصولات نسل جدید DRAM فعالیت خواهد کرد.
ساخت این کارخانه در جولای ۲۰۲۷ آغاز میشود و نخستین اتاق تمیز آن در ژوئن ۲۰۲۹ به بهرهبرداری خواهد رسید.
کارخانه M۱۷ در چونگجو نیز بر تولید حافظه «ناند» متمرکز خواهد بود.
«اسکی هاینیکس» اعلام کرد تقاضا برای این نوع حافظه بهسرعت در حال افزایش است؛ بهویژه برای درایوهای حالت جامد سازمانی که در خدمات هوش مصنوعی مورد استفاده قرار میگیرند.
انتظار میرود ساخت کارخانه M۱۷ در فوریه ۲۰۲۷ آغاز شود و نخستین اتاق تمیز آن در دسامبر ۲۰۲۸ افتتاح شود.
«اسکی هاینیکس» اعلام کرد شرکت پژوهشی «اومدیا» (Omdia) انتظار دارد تقاضا برای هر دو نوع حافظه، تا ۲۰۳۰، بهطور متوسط سالانه ۱۹ درصد رشد کند.
این شرکت اعلام کرد افزایش تقاضا برای تراشههای حافظه را نه چرخه موقت بازار، بلکه تغییر ساختاری میداند زیرا حافظه به عاملی مهمتر در عملکرد سامانههای هوش مصنوعی تبدیل شده است.
همچنین «اسکی هاینیکس» اعلام کرد در عصر هوش مصنوعی، رقابتپذیری فناورانه بهتنهایی کافی نیست و توانایی تامین حجم موردنیاز دقیقا در زمانی که مشتریان به آن نیاز دارند، مزیت رقابتی نهایی است.
خبرگزای آناتولی گزارش کرد، این پروژهها بخشی از برنامه سرمایهگذاری گستردهتر «اسکی هاینیکس» هستند که شامل ۶۰۰ تریلیون وون برای توسعه خوشه نیمهرسانای یونگین و ۱۰۰ تریلیون وون برای گسترش پایگاه تولیدی این شرکت در چونگجو میشود.
انتهای پیام
