به گزارش روز شنبه گروه علمی ایرنا از دانشگاه تهران، پژوهشگران دانشکدگان فنی این دانشگاه در پژوهشی تازه، قابلیتهای ماده دوبعدی WSi₂N₄ را در ساخت ترانزیستورهای نسل جدید مورد بررسی قرار دادند و نشان دادند این ماده میتواند نقش مؤثری در توسعه ادوات الکترونیکی کممصرف و پرسرعت ایفا کند.
در این پژوهش، عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی (TFET) مبتنی بر تکلایه WSi₂N₄ با استفاده از شبیهسازیهای پیشرفته مقایسه شد. نتایج نشان داد ترانزیستورهای NTFET از نظر بهرهوری انرژی عملکرد بسیار مطلوبی دارند؛ بهگونهای که شیب زیرآستانه آنها به ۱۸.۵ میلیولت بر دهه کاهش یافته که منجر به کاهش توان مصرفی خواهد شد.
همچنین ترانزیستورهای NFET بیشترین جریان روشن یعنی ۴۹۴ میکرو آمپر بر میکرومتر و تأخیر زمانی بسیار پایین را ثبت کردند که بیانگر …
