پژوهشگران چینی با توسعه روشی اتمی برای رشد مستقیم لایههای فلزی تکبلوری روی نیمهرساناها، موفق شدند مقاومت تماس ترانزیستورهای نانومقیاس را به میزان قابل توجهی کاهش دهند؛ دستاوردی که میتواند مسیر ساخت نسل جدیدی از ادوات الکترونیکی کوچکتر و کممصرفتر را هموار کند.
به گزارش گروه ترجمه خبرگزاری برنا به نقل از تک اکسپلور، فلزات، نیمهرساناها و عایقها سه جزء اساسی در ساخت تجهیزات الکترونیکی مدرن به شمار میروند، اما بخش قابل توجهی از تلاشها برای افزایش عملکرد این تجهیزات تاکنون بر بهبود کیفیت نیمهرساناها متمرکز بوده و ساختار بلوری فلزات کمتر مورد توجه قرار گرفته است.
با کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستورها بینظمی ساختاری در فلزات و همچنین در فصل مشترک میان فلز و نیمهرسانا به مانعی جدی برای تزریق و انتقال حاملهای بار تبدیل میشود. از این رو برای ادامه روند کوچکسازی و نزدیک شدن عملکرد ترانزیستورها به محدودیتهای فیزیکی فلزات نیز باید مانند نیمهرساناهای تکبلوری از نظم ساختاری بالایی برخوردار باشند.
بیشتر بخوانید نسخه نانویی برای حل بحران منابع آبی کشور؛ دو برابر شدن ظرفیت تصفیه با یکپنجم هزینه ترمیم زخمهای مزمن با نانوذرهای دوکاره در ۷۲ ساعت تبدیل پلاستیکهای دورریز به گرافیت با اکسید گرافن رشد مستقیم فلز تکبلوری روی نیمهرسانا
یک تیم پژوهشی به سرپرستی چو جونهاو از موسسه فنی فیزیک شانگهای وابسته به آکادمی علوم چین برای حل این مشکل روشی در مقیاس اتمی با عنوان Step-Eva توسعه داده است.
این روش نوعی فرآیند تبخیر مرحلهای است که امکان رشد مستقیم و درجا (in situ) لایههای فلزی تکبلوری روی نیمهرساناها را فراهم میکند. پژوهشگران میگویند استفاده از این روش میتواند مقاومت …
