چهارشنبه / ۲۰ اسفند / ۱۴۰۴ - 11 March, 2026
خبرگزاری برنا / ۱۴۰۳/۰۴/۱۹
ساخت ترانزیستورهای زیر یک نانومتر ممکن شد
مسیر تولید ترانزیستورهایی با ابعاد کمتر از یک نانومتر امکانپذیر میشود. یک تیم تحقیقاتی به سرپرستی جو مون هو از مرکز مواد جامد کوانتومی ون در والس در انستیتوی علوم پایه (IBS)، روش جدید برای دستیابی به رشد اپیتاکسیال مواد فلزی ۱D با عرض کمتر از ۱ نانومتر ارائه کرده است.
انتقال به متن خبر
جنگ ایران آمریکا اسرائیل ترامپ جنگ ایران و آمریکا رهبر انقلاب حمله آمریکا به ایران تنگه هرمز حمله به ایران حمله اسرائیل به ایران حمله آمریکا و اسرائیل به ایران