حافظه جدید مهندسان استنفورد: به سرعت SRAM و به ارزانی DRAM

در حالی که توان خام پردازشی برای کاربردهای هوش مصنوعی با سرعت سرسام آوری در حال پیشرفت است، پهنای باند حافظه به یکی از گلوگاه های اصلی این حوزه تبدیل شده است. حال پژوهشگران دانشگاه استنفورد نوع جدیدی از حافظه های «Gain Cell» را توسعه داده اند که می‌تواند پلی بین سرعت حافظه های SRAM و قیمت پایین DRAM باشد.