دوشنبه / ۴ اسفند / ۱۴۰۴ - 23 February, 2026
 سایت تکناک / ۱۴۰۴/۰۸/۱۹

ترکیب DRAM و NAND در حافظه جدید اس‌کی هاینیکس برای افزایش توان پردازشی

 ترکیب DRAM و NAND در حافظه جدید اس‌کی هاینیکس برای افزایش توان پردازشی
فناوری HBS اس‌کی هاینیکس با بهره‌گیری از Vertical Wire Fan-Out، اتصالات عمودی دقیق‌تری میان چیپ‌ها ایجاد می‌کند و اتلاف داده را کاهش می‌دهد.