انقلاب در مهار تداخل الکترومغناطیسی با یک نانوسیم جدید

پژوهشگران با ساخت یک نانوسیم فوق‌نازک موفق شده‌اند بدون استفاده از لایه‌های فلزی ضخیم، بیش از ۹۹.۹۷ درصد تداخل الکترومغناطیسی را مهار کنند.