مدلسازی پدیده دو پایداری نوری جاذب در ضخامت‌های مختلف ZnSe

در این مقاله مدلی مبنی بر تغییرات غیر خطی ضریب جذب با دما برای توصیف پدیده دو پایداری نوری جاذب در نیمه هادی ZnSe ارایه گردیده است و با استفاده از آن منحنی های توان خروجی بر حسب توان ورودی رسم شده اند. منحنی های حاصل تطابق بسیار خوبی از نظر کیفی و کمی با نتایج تجربی بدست آمده را نشان می دهد. بعلاوه اثرات ناشی از تغییر دو پارامتر ضخامت نمونه و قطر پرتوی لیزر، و تاثیرات آن بر حلقه پسماند مورد بررسی قرار گرفته است.

یلدا اثنی عشری
عطاله کوهیان
سعید جلوانی
شهریار ابوالحسینی

منبع : پایگاه اطلاعات علمی