ول تراشه‌ساز کره‌ای قصد دارد با تغییرات گسترده در طراحی تراشه، از ترانزیستورهای سه بعدی VCT و سلول حافظه 4F2 استفاده کند. تخمین‌های فعلی حکایت از آن دارد که فقط استفاده از طراحی جدید سلول حافظه، می‌تواند چگالی تراشه‌های DRAM را تا ۳۰ درصد افزایش دهد.