ترانزیستورهای GAAFET که به‌عنوان گام بعدی در تکامل ترانزیستورها پس از MOSFET و FinFET شناخته می‌شوند، مدت‌هاست که در تولید تراشه‌های ۳ نانومتری و پایین‌تر کاربرد دارند. اما آنچه پروژه دانشگاه پکن را متمایز می‌کند، استفاده از ماده‌ جدید بیسموت اکسی‌سلنید (Bi₂O₂Se) به‌جای سیلیکون است.