سامسونگ آماده رونمایی نسل دهم حافظه V-NAND با بیش از ۴۰۰ لایه است که برای تأمین انرژی SSDهای آینده PCIe

سامسونگ در حال کار روی تراشه‌های حافظه V-NAND با ۴۰۰ لایه است که با استفاده از فناوری اتصال عمودی، ظرفیت

حافظه ۱ ترابیتی (۱۲۵ گیگابایتی) جدید این شرکت، می‌تواند ۴ بیت را در هر سلول ذخیره و چگالی حافظه بیشتری را در همان اندازه سابق، فراهم سازد.

راه حل جدید سامسونگ برای تولید انبوده اس اس دی های با ظرفیت بالا و قیمت پایین به لطف فناوری نسل نهم QLC

سامسونگ به عنوان یکی از غول‌های فناوری کره جنوبی و جهان، خبر از آغاز تولید انبوه چیپ‌های حافظه نسل نهم V-NAND را داد. این نسل جدید از حافظه‌های فلش سه‌بعدی،

حضور احتمالی حافظه های V-NAND نسل پنجم سامسونگ در کنسول گیمینگ نینتندو سوییچ 2 nintendo switch 2