دانشمندان ژاپنی در دانشگاه توکیو موفق به ساخت ترانزیستوری بدون استفاده از سیلیکون شده‌اند که با طراحی گیت همه‌جانبه و استفاده از اکسید ایندیوم گالیوم، عملکرد بالاتر و پایداری بیشتری دارد. این فناوری می‌تواند آینده هوش مصنوعی و پردازش کلان‌داده را متحول کند.

شهر سخت افزار/ به نظر می‌آید تراشه‌های 1.4 نانومتری یک گام دیگر به حقیقت نزدیک شده‌اند. در همین رابطه TSMC از فناوری ساخت A14 خود رونمایی کرده و وعده بهبودهای قابل‌توجهی در عملکرد، مصرف انرژی و تراکم ترانزیستور نسبت به فناوری 2 نانومتری N2 داده است. این شرکت اعلام کرد که فناوری جدید بر پایه نسل دوم

چین از اولین تراشه 1 نانومتری جهان با معماری RISC-V و بر پایه مواد دو بعدی رونمایی کرد، شاهکاری که بیش از 5900 ترانزیستور را در فضایی کمتر از یک نانومتر جا داده است. چین با این نوآوری در صنعت نیمه هادی‌ها گام بزرگی برداشته و به نظر می‌رسد که به دنبال خودکفایی در این صنعت است. جزئیات بیشتر را در شهر سخت …

ریزپردازنده جدید با بهره‌گیری از ۵۹۰۰ ترانزیستور، توان اجرای کامل مجموعه دستورالعمل‌های ۳۲ بیتی معماری متن‌باز RISC-V را دارد.

ترانزیستورهای GAAFET که به‌عنوان گام بعدی در تکامل ترانزیستورها پس از MOSFET و FinFET شناخته می‌شوند، مدت‌هاست که در تولید تراشه‌های ۳ نانومتری و پایین‌تر کاربرد دارند. اما آنچه پروژه دانشگاه پکن را متمایز می‌کند، استفاده از ماده‌ جدید بیسموت اکسی‌سلنید (Bi₂O₂Se) به‌جای سیلیکون است.

ایسنا/ترانزیستور جدید مبتنی بر بیسموت می‌تواند طراحی تراشه‌ها را متحول کند و با دور زدن محدودیت‌های سیلیکون، بازدهی بالاتری را ارائه دهد. گروهی از محققان دانشگاه پکن ادعا می‌کنند که پیشرفتی نوین را در فناوری تراشه‌ها رقم زده‌اند و به طور بالقوه رقابت نیمه‌رساناها را تغییر داده‌اند. به نقل از آی‌ای،

یک حسگر جدید زیست‌سازگار که با بافت‌های بدن منطبق است، امکان نظارت بر مغز را در مراحل پیشروی بیماری فراهم می‌کند.

ایالات متحده در اقدامی جدید، فروش تراشه‌های پیشرفته با بیش از 30 میلیارد ترانزیستور و فناوری ساخت 14 و 16 نانومتری به چین را ممنوع میکند

در جریان کنفرانس Open Innovation Platform سال 2024 که در کشور هلند برگزار می‌شود، شرکت TSMC از برنامه خود برای رساندن ۴ فرایند ساخت جدید به مرحله تولید انبوه تا انتهای سال 2026 پرده برداشت که تراشه‌های 1.6 نانومتری A16 را هم شامل می‌شود.

دانشمندان موسسه فناوری ماساچوست(MIT) از ترانزیستورهای سه بعدی بسیار کارآمد رونمایی کردند که می‌توانند از فناوری سیلیکونی پیشی بگیرند. این ترانزیستورهای سه بعدی جدید با استفاده از مواد نیمه‌رسانای فوق نازک طراحی شده‌اند.

اوربیترونیک به عنوان یک جانشین بالقوه برای الکترونیک سنتی در نظر گرفته می‌شود که در آن، داده‌ها با کنترل جریان‌های الکتریکی در ترانزیستور‌ها ذخیره، منتقل و تنظیم می‌شوند. اگرچه اندازه ترانزیستور به مقیاس اتمی نزدیک می‌شود تا اجزای بیشتری را در یک سیستم رایانه‌ای جا دهد، اما در نهایت محدودیتی وجود خواهد …

با ارائه یک روش ساخت جدید، مسیر تولید ترانزیستورهایی با ابعاد کمتر از یک نانومتر امکان‌پذیر می‌شود. در این راستا یک تیم تحقیقاتی روش جدیدی را برای دستیابی به رشد اپیتاکسیال مواد فلزی ۱D با عرض کمتر از ۱ نانومتر ارائه کرده است.

اپل وا‌چ سری 10 از نمایشگر OLED ارتقاء یافته با فناوری ترانزیستور لایه نازک (TFT) اکسید پلی کریستالی با دمای پایین (LTPO) بهره خواهد برد.