فلش،حافظه ای بدون نیاز به منبع خارجی

حافظه های الكترونیكی در انواع گوناگون و برای مصارف مختلف ساخته شده اند . حافظه های فلش به دلیل سرعت بالای آنها در ثبت اطلاعات و همچنین استفاده فوق العاده آسان بسیار پر فروش و پر طرف دار می باشند . از این رو در دوربین های دیجیتالی ، تلفن همراه و سایر دستگاه ها شاهد استفاده روز افزون از آنها هستیم .شیوه ذخیره اطلاعات در این نوع از حافظه بسیار شبیه به ذخیره اطلاعات در RAM می باشد .
در حقیقت حافظه های فلش در نحوه فعالیت مشابه یك منبع ذخیره اطلاعات ثابت عمل می كند . به این معنی كه در آنها هیچ قطعه متحركی به كار نرفته و تمام كارها توسط مدارات الكترونیكی انجام می شود .
در مقابل درون دیسك های سخت چندین قسمت متحرك وجود دارد كه این وضع خود آسیب پذیر بودن این گونه حافظه را نسبت به حافظه های فلش نشان می دهد .قطعاتی از قبیل تراشه های BIOS ، حافظه های فلش متراكم شده كه در دوربین های دیجیتالی به كار می روند ، حافظه های هوشمند ، Memory Stick و كارت های حافظه كه در كنسول های بازی به كار می روند همه و همه از این نوع حافظه استفاده می كنند .
در این قسمت به فناوری و زیر ساخت این نوع حافظه نگاهی كوتاه داریم . حافظه های فلش از تراشه های EEPROM ساخته شده اند . همان طور كه در مقالات قبلی ذكر شد در این گونه از حافظه ها ذخیره و حذف اطلاعات توسط جریان های الكتریكی صورت می پذیرد . این گونه تراشه ها داخل سطر ها و ستون های مختلف شبكه ای منظم را پدید می آورند .
در این شبكه هر بخش كوچك دارای شماره سطر و ستون مختص به خود بوده و در اصطلاح هر كدام از این بخش ها یك سلول حافظه نامیده می شود . هر كدام از این سلول ها از تعدادی ترانزیستور ساخته شده و هر كدام از این سلول ها توسط لایه های اكسید از دیگر سلول ها جدا می باشد . درداخل این سلول ها دو ترانزیستور معروف با نام های Floating gate و Control gate استفاده می شود . Floating gate به خط ارتباطی سطر ها متصل بوده و تا زمانی كه ارتباط بین این دوترانزیستور برقرار باشد ، این سلول دارای ارزش ۱ می باشد . این سلول ها می توانند دارای ارزش ۱ و یا ۱% باشند.
● Tunneling:
این روش برای تغییر دادن مكان الكترون های ایجاد شده در Floating gate بكار می رود . اغلب سیگنال های شارژ الكترونیكی بین ۱۵ تا ۱۳ ولت می باشند كه این میزان توسط Floating gate استفاده می شود. در زمان Tunneling این میزان توسط ستون ها از Floating gate گذشته و به زمین منتقل می شود . این سیگنال باعث می شود كه این ترانزیستور مشابه یك تفنگ الكترونی وارد عمل شود . این تفنگ الكترونی ، الكترون ها را به خارج لایه اكسید شده رانده و بدین ترتیب باعث از بین رفتن آنها می شود.در اینجا واحد مخصوصی به نام حسگر سلول وارد عمل شده و عمل Tunneling همراه با مقدارش را ثبت می كند .
اگر مقدار این سیگنال كه از میان دو ترانزیستور می گذرد كمتر از نصف آستانه حساسیت حسگر باشد ، برای آن سلول در ارزش گذاری رقم ۵ ثبت می شود. ذكر این نكته ضروری است كه این سلول ها در حالت عادی دارای ارزش ۱هستند .
با این توضیحات ممكن است فكر كنید كه درون رادیو خودروی شما یك حافظه فلش قرار دارد . درست حدس زدید ، اطلاعات ایستگاه های رادیویی مورد علاقه شما در نوعی حافظه به اسم Flash ROM ذخیره می شود . البته نحوه ثبت و نگهداری اطلاعات در این نوع حافظه به كلی با Flash memory فرق می كند . این نوع حافظه برای نگهداری اطلاعات به یك منبع الكتریسیته خارجی احتیاج دارد . در صورتی كه حافظه های فلش بدون نیاز به منبع خارجی اطلاعات را ثبت و ضبط می كنند.
زمانی كه شما اتومبیل خود را خاموش می كنید جریان بسیار كمی به سمت این حافظه در جریان است و همین جریان بسیار كم برای حفظ اطلاعات شما كافی می باشد. ولی با تمام شدن باتری خودرو و یا جدا كردن سیم برق كلیه اطلاعات ثبت شده از بین می رود.امروزه این فناوری، آنقدر سریع توسعه می یابد كه تا چند سال دیگر قادر به ذخیره اطلاعات معادل ۴۵ گیگا بایت در فضایی به اندازه یك سانتی متر مربع هستیم. هم اكنون نیز این حافظه ها در ابعاد بسیار كوچك در ظرفیت های گوناگون در دسترس همه قرار دارد.

منبع : روزنامه ابرار