به گزارش خبرگزاری ایمنا، پژوهشگران دانشگاه تگزاس در آستین با همکاری شرکت تولیدکننده تراشه TSMC، فناوری جدیدی به نام SOT-MRAM را برای کاربردهای هوش مصنوعی آزمایش کردهاند؛ حافظهای مغناطیسی که حتی پس از قطع برق نیز اطلاعات را حفظ میکند و میتواند نسبت به برخی فناوریهای حافظه، سرعت بالاتر و مصرف انرژی کمتری داشته باشد.
SOT-MRAM نوعی حافظه دسترسی تصادفی مغناطیسی است که اطلاعات را با استفاده از ویژگیهای مغناطیسی ذخیره میکند. پژوهشگران تراشههای مبتنی بر این فناوری را در چند وظیفه مرتبط با هوش مصنوعی، از جمله استنتاج شبکههای عصبی، آموزش شبکههای عصبی دودویی و مدلسازی احتمالاتی گراف آزمایش کردند.
نتایج نشان داد هر عملیات نوشتن داده در این حافظه تنها ۲ نانوثانیه زمان میبرد و حدود ۲ پیکوجول انرژی مصرف میکند. در مقابل، برخی فناوریهای حافظه دیگر برای انجام عملیات مشابه ممکن است پنج برابر تا صدها برابر زمان بیشتری نیاز داشته باشند و انرژی مصرفی آنها نیز به صدها پیکوجول یا بیشتر برسد. …
