شنبه, ۲۹ اردیبهشت, ۱۴۰۳ / 18 May, 2024
مجله ویستا
خواص ساختاری، الکترونی و دینامیک شار ابررسانای Gd(Ba۲-xPrx)Cu۳O۷+d
به منظور مطالعه خواص ساختاری، الکترونی و دینامیک شار، نمونه های تک فاز و چند بلوری Gd(Ba۲-xPrx)Cu۳O۷+d با ۰.۰۰£X£۱.۰۰ ساخته و مورد ارزیابی قرار گرفتند. نحوه تغییرات پارامترهای شبکه و حجم سلول واحد بر حسب آلایش (x)Pr، مقدار اکسیژن بیشتر از ۷، مشاهده حد حل پذیری و بروزگذار اورتورومبیک - تتراگونال بر حسب x و عدم مشاهده هر گونه فاز ناخالصی بر پایه Gd همگی حاکی ازحضور اتم Pr درمکان Ba است. چنین ادعایی از مقایسه کمیتهای بالا با موارد مشابه در ترکیب (Gd۱-xPrx)Ba۲Cu۳O۷-dو همچنین مقادیر مختلف آلایش بحرانی Pr برای بروز گذار ابررسانا - عایق در دو ترکیب بالا به خوبی قابل اثبات است. در بعضی ازمقادیر آلایش Pr یک برآمدگی نامتعارف در منحنی r(T) در دمای حدود ۹۰-۸۰ K مشاهده شد. حضور اتم های Ba در مکان اتم نادر زمین (R) منجربه بروز ابر رسانایی در برخی از نواحی دانه ها شده است که به صورت یک برآمدگی در منحنی r(T) مشاهده می شود. رژیم غالب رسانشی فاز هنجار نمونه ها، رسانش پرشی با برد متغیر دردو بعد (۲ D-VRH) به دست آمده است. آلایش Pr قویا حاملها را در فاز هنجار جایگزیده کرده که سرانجام منجر به اضمحلال ابر رسانش می شود. مقدار آلایش بحرانیPr برای اضمحلال ابررسانایی (گذار ابررسانا-عایق) در ترکیب مورد مطالعه، ۳۵/۰ و برای مشاهده گذار فلز-عایق، ۲/۰ است. مطالعه ترکیبات دیگر ابررساناهای دمای بالا نیز حاکی از تمایز این دو گذار است. حضور Pr در مکان Ba در ساختار ترکیبات ۱۲۳ HTSC، افزایش دمای گشایش شبه گاف Ts و اضمحلال ابررسانش پایه Gd-۱۲۳ می شود. مطالعه Ts در دو ترکیب یاد شده نیز حاکی از اثر مخرب تر Pr در مکان Ba نسبت به مکان R است. نمودار فاز ارایه شده بر اساس تغییرات دمای گذار این رسانایی و دمای گشایش شبه گاف بر حسب میزان آلایش حفره شبیه نمودارهای فاز میدان متوسط ارائه شده همانند RVB است. مقاومت مغناطیسی نمونه ها نیز اندازه گیری شدند و درچارچوب مدلهای خزش شارو AH مورد بررسی قرار گرفتند. چگالی جریان بحرانی به دست آمده،Hc۲(T) ، HC۲(۰) و طول همدوسی ابررسانایی z نشان می دهند که آلایش Pr همانند ارتباطات ضعیف، انرژی میخکوبی شار مغناطیسی را کاهش می دهد. همچنین رفتار دو بعدی HTSC به خصوص ترکیبات اخیر در مقایسه با سیستمهای الکترونی دو بعدی یعنی MOSFET ها و لایه های بسیار نازک ابررساناهای متعارف مورد مطالعه قرار گرفتند. وجود شباهت های زیاد در این سیستم ها می تواند ناشی از منشا فیزیکی یکسانی باشد. چنین مطالعه مقایسه ای می تواند فیزیک پیچیده ابررساناهای دمای بالا و گازهای الکترونی دو بعدی را بیشتر قابل ارزیابی قرار دهد. نتایج این تحقیق حاکی از اهمیت مکان Pr در ترکیبات HTSC۱۲۳ برای فهم سازوکار اضمحلال ابررسانش توسط آلایش Pr است. بنابراین، هر نظریه جامع باید بر اساس مکان Pr در سلول واحد ارائه شده و در مقایسه با نتایج تجربی نیز به ترتیبی، مکان Pr باید به طور دقیق تعیین شود.
محمدرضا محمدی زاده
محمد اخوان
محمد اخوان
منبع : پایگاه اطلاعات علمی
نمایندگی زیمنس ایران فروش PLC S71200/300/400/1500 | درایو …
دریافت خدمات پرستاری در منزل
پیچ و مهره پارس سهند
تعمیر جک پارکینگ
خرید بلیط هواپیما
آمریکا دولت سیزدهم رئیس جمهور اسرائیل لبنان مازندران سیدابراهیم رئیسی رئیسی مجلس شورای اسلامی مجلس تعطیلی شنبه ها شورای نگهبان
سیل مشهد سیل مشهد تهران هواشناسی خراسان رضوی پلیس سازمان هواشناسی آموزش و پرورش بارش باران قوه قضاییه شهرداری تهران
خودرو دولت مالیات قیمت خودرو قیمت طلا حقوق بازنشستگان قیمت دلار مسکن ایران خودرو بازار خودرو تعطیلی شنبه طلا
زری خوشکام لیلا حاتمی نمایشگاه کتاب علی حاتمی فضای مجازی نمایشگاه کتاب تهران کتاب سینمای ایران تلویزیون سریال سینما موسیقی
ایلان ماسک
رژیم صهیونیستی روسیه حماس غزه فلسطین جنگ غزه چین اوکراین یمن ترکیه حزب الله لبنان ولادیمیر پوتین
فوتبال ایران پرسپولیس استقلال تراکتور بارسلونا لیگ برتر جام حذفی سپاهان بازی لیگ برتر انگلیس فدراسیون فوتبال
هوش مصنوعی گوگل آیفون اپل باتری سرعت اینترنت عیسی زارع پور تبلیغات
سلامت فشار خون پوست بارداری دیابت کاهش وزن آلزایمر