یکشنبه, ۳۰ دی, ۱۴۰۳ / 19 January, 2025
مجله ویستا
عملکرد و مدل‌سازی ترانزیستور MOS
مترجم : فتحی‌پور - مرتضی
محل نشر : تهران
تاریخ نشر : ۱۳۷۸/۰۷/۲۷
رده دیویی : ۶۲۱.۳۸۱۵۲۲
قطع : وزیری
جلد : شومیز
تعداد صفحه : ۸۵۶
نوع اثر : ترجمه
زبان کتاب : انگلیسی
نوبت چاپ : ۱
تیراژ : ۱۰۰۰
شابک : ۹۶۴-۰۳-۴۱۲۶-۶
مخاطبان کتاب, ذیل ده فصل و سیزده ضمیمه با عملکرد و مدل سازی تزانزیستور ((MOS))آشنا می‌شوند .عناوین فصل‌های کتاب عبارت‌اند از :((نیمه هادی‌ها, اتصالات و پیوند ((PN, ((ساختار دو پایانه‌ای ((MOS, ((ساختار سه پایه‌ای ((MOS, ((ترانزیستورهای چهار پایانه‌ای ((MOS, ((آثار کانال کوتاه و کانال باریک)), ((ترانزیستورهای MOSدارای کانال کاشت یونی)), ((عملکرد پویای ترانزیستور ((MOS, ((مدل‌سازی سیگنال کوچک برای فرکانس‌های کم و متوسط)), ((مدل‌های فرکانس بالای سیگنال کوچک)) و ((ساخت تزانزیستورهای .((MOSضمایم کتاب نیز مقدمه‌ای است بر مفاهیم نوارهای انرژی, قوانین اساسی الکترواستاتیک و موضوعات عمومی مربوط به این مقوله .
ایران مسعود پزشکیان دولت چهاردهم پزشکیان مجلس شورای اسلامی محمدرضا عارف دولت مجلس کابینه دولت چهاردهم اسماعیل هنیه کابینه پزشکیان محمدجواد ظریف
پیاده روی اربعین تهران عراق پلیس تصادف هواشناسی شهرداری تهران سرقت بازنشستگان قتل آموزش و پرورش دستگیری
ایران خودرو خودرو وام قیمت طلا قیمت دلار قیمت خودرو بانک مرکزی برق بازار خودرو بورس بازار سرمایه قیمت سکه
میراث فرهنگی میدان آزادی سینما رهبر انقلاب بیتا فرهی وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی سینمای ایران تلویزیون کتاب تئاتر موسیقی
وزارت علوم تحقیقات و فناوری آزمون
رژیم صهیونیستی غزه روسیه حماس آمریکا فلسطین جنگ غزه اوکراین حزب الله لبنان دونالد ترامپ طوفان الاقصی ترکیه
پرسپولیس فوتبال ذوب آهن لیگ برتر استقلال لیگ برتر ایران المپیک المپیک 2024 پاریس رئال مادرید لیگ برتر فوتبال ایران مهدی تاج باشگاه پرسپولیس
هوش مصنوعی فناوری سامسونگ ایلان ماسک گوگل تلگرام گوشی ستار هاشمی مریخ روزنامه
فشار خون آلزایمر رژیم غذایی مغز دیابت چاقی افسردگی سلامت پوست