سندرم مرگ ناگهانی پنتیوم ۴

نخستین گروه پردازنده های پنتیوم چهار اینتل, در مواردی كه كاربران این پردازنده ها را در شرایط overclock قرار می دادند, به نوعی از كار می افتادند كه بعدها به بیماری مرگ ناگهانی مشهور گشت

می دانید كه فلزات درحالت جامد ساختار بلوری یا كریستالی دارند و اتم های فلزی مانند آلومینیوم یا مس در ساختارهای كریستالی منظم در جای خود تقریباً ثابت هستند .اما در شرایطی مانند اعمال جریان های الكتریكی قوی، در پدیده ای موسوم به مهاجرت الكترونی (electromigration) ، ممكن است چند اتم فلز از جای خود در ساختار كریستالی كنده شده و در جهت میدان الكتریكی حركت كنند.

در چنین حالتی ، اصطلاحاً گفته می شود كه یك یا چند حفره در بلور فلزی بر جای می ماند. یكی از اثرات چنین پدیده ای آن است كه ضریب هدایت الكتریكی چنین فلزی در این شرایط كاهش می یابد.این موضوع در كارایی پردازنده ها اثر نامطلوبی بر جای می گذارد(مثلا باعث افزایش دمای تراشه پردازنده می شود) در هر صورت ، یكی از دلایل جایگزینی فلز مس به جای آلومینیوم همین ماجرای مهاجرت الكتریكی است كه آلومینیوم در مقایسه با مس، آسیب پذیری بیشتری در برابر این پدیده دارد.

نخستین گروه پردازنده های پنتیوم چهار اینتل، در مواردی كه كاربران این پردازنده ها را در شرایط overclock قرار می دادند ، به نوعی از كار می افتادند كه بعدها به بیماری مرگ ناگهانی مشهور گشت. (در شرایط overclock پردازنده تحت ولتاژ و در نتیجه جریان الكتریكی بالاتری نسبت به مقدار توصیه شده سازنده قرار داده می شود .)در حقیقت این پردازنده ها كه به نوعی نخستین خروجی خط تولید پردازنده های اینتل بود كه از فلز مس در آنها استفاده می شد، دچار نقصی بود كه پدیده مهاجرت الكترونی در آن نسبتاً به راحتی روی می داد. نیازی به یادآوری نیست كه اینتل این مسأله را به سرعت رفع كرد و در پردازنده های پنتیوم كنونی به هیچ وجه چنین پدیده ای دیده نمی شود.

● غربال كردن

تولید ساندویچ‌های پیچیده تشكیل شده از لایه‌های متعدد سیلیكون ، فلز و مواد دیگر ، فرایندی است كه ممكن است روزها و حتی هفته ها به طول انجامد. در تماس این مراحل، آزمایش های بسیار دقیقی بر روی ویفر سیلیكونی انجام می شود تا مشخص شود كه آیا در هر مرحله عملیات مربوطه به درستی انجام شده اند یا خیر. علاوه بر آن در این آزمایش ها كیفیت ساختار بلوری و بی نقص ماندن ویفر نیز مرتباً آزمایش می شود .

پس از مراحل ، چیپ‌هایی كه نقص نداشته باشند، از ویفر بریده می شوند و برای انجام مراحل بسته بندی و نصب پایه های پردازنده ها به بخش های ویژه ای هدایت می شوند. این مراحل واپسین هم دارای پیچیدگی های فنی خاصی است . به عنوان مثال، پردازنده های امروزی به علت سرعت بسیار بالایی كه دارند، در حین كار گرم می شود. با توجه به مساحت كوچك ویفر پردازنده ها و ساختمان ظریف آنها در صورتی كه تدابیر ویژه ای برای دفع حرارتی چیپ ها اندیشیده نشود، گرمای حاصل به چیپ ها آسیب خواهد رساند.

بدین معنی كه تمركز حرارتی چیپ به حدی است كه قبل از جریان یافتن فشار حرارتی به رادیاتور خارجی پردازنده چیپ دچار آسیب خواهد شد. برای حل این مشكل ، پردازنده های امروزی در درون خود دارای لایه های توزیع و ما هستند. تا اولاً تمركز حرارتی در بخش های كوچك چیپ ایجاد نشود و ثانیاً سرعت انتقال حرارت به سطح چیپ و سپس خنك كننده خارجی ، افزایش یابد. اما چیپ های آزمایش شده باز هم برای تعیین كیفیت و كارایی چندین بار آزمایش می شوند.

واقعیت آن است كه كیفیت پردازنده های تولید شده حتی در پایان یك خط تولید و در یك زمان، ثابت نیست و پردازنده ها در این مرحله درجه بندی می شوند! (مثل میوه ها كه در چند درجه از نظر كیفیت طبقه بندی می شوند) .

برخی از پردازنده ها در پایان خط تولید واجد خصوصیاتی می شوند كه می توانند مثلا تحت ولتاژ یا فركانس بالاتری كار كنند . این موضوع یكی از دلایل اصلی تفاوت قیمت پردازنده ها است.گروه دیگری از پردازنده ها ، دچار نقص دربخش هایی می شوند كه همچنان آنها را قابل استفاده نگاه می دارد . به عنوان مثال، ممكن است برخی از پردازنده ها در ناحیه حافظه نهان (eache) دچار نقص باشند.

در این موارد ، می توان به روش هایی بخش های آسیب دیده را از موارد داخلی پردازنده خارج ساخت. بدین ترتیب پردازنده هایی به دست می آیند كه مقدار حافظه نهان كمتری دارند. بدین ترتیب پردازنده هایی مانند Celeron در اینتل و sempron در شركت AMD، در خط تولید پردازنده های Full cuche این شركت ها نیز تولید می شوند.